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直通矽穿孔(TSV)封装时代即将来临,将撼动现有的半导体市场版图。过去TSV技术只能堆 叠DRAM、CMOS影像感测器(CIS)等同种芯片,但目前已进化到可堆叠系统芯片与记忆体、系统芯片与系统芯片等,封装异种芯片。TSV半导体目前仍 未有明确的标准,但可在初期掌握技术主导权的企业,就有机会主导从系统芯片到记忆体的整个半导体市场。

 

记忆体、系统芯片、晶圆代工、后段 制程业者间,将更积极争夺TSV市场主导权。据ETNews报导,近来三星电子(SamsungElectronics)研发出将移动应用处理器(AP) 和记忆体以TSV载板(interposer)方式堆叠的2.5D产品。最快2014年内可推出1~2项产品。三星2011年公开4层堆叠的30纳米级 4GbDDR3DRAM产品后,仍持续累积TSV技术实力。

 

南韩业者表示,三星除记忆体外也生产AP等系统芯片,因而确保半导体从前段到后段制程所必要的技术。TSV市场若正式成形,将对三星形成有利的局势。为确保异种芯片TSV技术,记忆体业者和系统芯片业者间的合纵连横也开始活跃。

 

韩 系半导体大厂SK海力士(SKHynix)和AMD携手研发将29纳米DRAM4层堆叠的图形处理用高频宽记忆体 (HighBandwidthMemory;HBM),并将于2014年9月公开样品。该产品的目标为移动装置、伺服器市场。系统芯片龙头高通 (Qualcomm)和英特尔(Intel)近来也与多间记忆体业者携手合作,加速研发异种芯片TSV产品。美光(Micron)和尔必达 (Elpida)晚一步寻求系统芯片业者的合作,正极力确保异种芯片TSV技术,近来已发包晶圆接合(waferbonding)和剥离 (debonding)设备,及导孔蚀刻设备。

 

2015年初将以网路市场为目标,公开TSV产品。南韩证券分析师表示,想实现异种芯片TSV封装,必须经过形成绝缘层、注入铜、晶圆研磨、封测等多元制程,为高难度技术。初期在市场上制程竞争力具优势,能提升需求的综合半导体业者,将居有利位置。

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